自2010年以来，潜在的诱导退化被认为是导致?？楣收系闹饕蛑弧＠酶ダ投骰舴?/span>CSP开发的新技术，以及弗莱贝格仪器公司的台式工具PIDcon，可以对太阳能电池和微型组件的PID敏感性进行测试，现在已经投入市场。 

了解更多关于PID的原因以及如何研究太阳能电池、微型?？楹头庾安牧系拿舾行浴?/span>

PID-s的物理性质

电势诱导退化（PID）是在晶体硅组件中观察到的较高危险的退化现象之一。在了解分流型PID（PID-s）的基本机制方面已经取得了很大进展。

PID-s的物理性质

在现场，?？橹械那安ＡП砻婧吞裟艿绯刂淇赡芑岢鱿纸洗蟮牡缥唬杼裟艿绯氐?/span>p-n结会发生分流，从而导致电阻和功率输出下降。

以下模型是由[1]提出的：

?？橹写嬖诘母叱∏康贾?/span>Na+漂移通过SiNx层。钠离子在SiNx/Si界面（SiOx）横向扩散，并装饰了堆叠故障。pn结通过高度装饰的堆积断层的缺陷水平被分流（过程1），另外，由于耗尽区的缺陷状态的重组过程，J02增加（过程2）。请注意，Na离子应该是来自Si表面而不是玻璃。

因此，模块的易感性主要取决于SiNx层以及玻璃和EVA箔的电阻率。

参考文献：

[1] V. Naumann et al., The role of stacking faults for the formation of shunts during potential induced degradation (PID) of crystalline Si solar cells, Phys. Stat. Solidi RRL 7, No. 5 (2013) 315-318